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【我が国、宇宙で第3世代半導体材料を使用したパワーデバイスの検証に成功】新華社通信によると、記者は中国科学院マイクロエレクトロニクス研究所から、我が国が初めて国産のシリコンカーバイド(宇宙における電力デバイスの開発。次世代半導体材料は我が国の航空宇宙用電源のアップグレードを推進すると期待されています。
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